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功率半導體用陶瓷基板熱阻測試方法的​主題報告
發布時間 :2023-11-30 瀏覽數 :463 分享 :

為緊跟國際功率半導體器件技術發展步伐 ,推動我國新型半導體功率器件技術水平進一步提高 ,加快其成果轉化和應用推廣 ,增強自主創新能力 。由中國半導體行業協會半導體分立器件分會主辦的“第九屆全國新型半導體功率器件及應用技術研討會”於2023年11月23~25日在廣州召開 。美高梅網址平台受邀參會 ,並向大會做“功率半導體用陶瓷基板熱阻測試 “的主題報告 。


報告摘要 :


隨著新一代功率半導體(SiC 、GaN)技術的加速開發 ,功率半導體向小型化 、高效化方向發展 ,因其擁有更節能 、更高功率輸出和更高速運行的前景而受到越來越多的期望 。下一代功率半導體芯片將提供更高的輸出和更高的能量密度 ,預計在不久的將來 ,芯片結溫將從150℃ 提高到250℃ ,因此功率半導體的散熱技術變得比以往任何時候都更加重要 。

美高梅網址平台自2016年11月開始聯合大阪大學封裝研究所開展「新一代功率半導體基板的熱特性評價方法」的共同研究 ,同時推動了該評價方法的ISO國際標準化工作 。2023年1月,ISO4825-1標準1正式全球發布 。

“基板”是影響功率半導體散熱的核心部件 ,美高梅網址平台基於上述共同研究的成果 ,開發了專門針對陶瓷基板的「熱阻測試儀」 以及「TEG芯片」 ,並同步在日本 、中國 、美國 、歐洲申請了國際專利(專利申請中) 。


會議現場 :

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以上配圖來自“第九屆全國新型半導體功率器件及應用技術研討會” ,僅作宣傳用途 。


[1] ISO 4825-1:2023 國際標準:https://www.iso.org/standard/80379.html


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